| 新聞資訊 | 發(fā)布日期：2024-3-4 發(fā)布者：住野精工 |
蒸鍍氧化硅型阻隔性包裝薄膜的制備方法有物理蒸鍍（PVC)和化學(xué)蒸鍍（CVC)兩大類。根據(jù)具體實(shí)施方法的不同，又有如下種種方法。阻隔膜生產(chǎn)設(shè)備
1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦稱物理氣相沉積法，包括電阻絲蒸鍍、電子束蒸鍍以及濺射等。其中電阻式蒸鍍和電子束蒸鍍需在高溫下使SiO2汽化，而濺射沉積應(yīng)用單元素靶材濺射，具有沉積溫度低、沉積速率高、靶材不受限制、鍍膜質(zhì)量好的
優(yōu)點(diǎn)。
（1)電阻絲蒸鍍法
電阻絲蒸發(fā)鍍法是在真空室中，用電阻絲加熱SiO2,溫度可達(dá)1700℃,高溫及真空使SiO2以原子或分子的形態(tài)從其表面汽化逸出，形成蒸氣流，該蒸氣流在基材表面沉積，形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。
（2)電子束蒸發(fā)鍍膜法
電子束蒸發(fā)鍍膜法是將 SiO2放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使之蒸發(fā)汽化，然后凝結(jié)在基材的表面上形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠(yuǎn)比電阻加熱源更大的能量密度，蒸發(fā)溫度高（電子束加熱能量達(dá)20kW/c㎡,溫度更可達(dá)3000~6000℃),因而特別適合制作高熔點(diǎn)薄膜類材料和高純薄膜材料，而且能有較高的蒸發(fā)速度。由于熱量可直接加到蒸鍍材料的表面，因而熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射的損失少，所生產(chǎn)的SiOx阻隔性包裝薄膜的阻隔性，較之電阻絲蒸鍍法生產(chǎn)的產(chǎn)品，也有顯著提高。
（3)濺射法
濺射法亦稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單元素靶材濺射并倒入反應(yīng)氣體進(jìn)行的反應(yīng)稱為反應(yīng)濺射，通過調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜鍍層的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。磁控濺射法與蒸發(fā)法相比，具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射的其他優(yōu)點(diǎn)有設(shè)備簡單、操作方便等，在濺射鍍膜過程中，只要保持工作氣壓和濺射功率恒定，基本上即可獲得穩(wěn)定的沉積速率。最大缺點(diǎn)是沉積速率相對較低，此外可能發(fā)生靶中毒、引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定以及膜的缺陷等，這些限制了它的應(yīng)用，因此尚有待進(jìn)一步改進(jìn)。
2.化學(xué)蒸鍍（PECVD)
化學(xué)蒸鍍亦稱等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或等離子體聚合氣相沉積，是利用等離子體手段產(chǎn)生電子、離子及活性基團(tuán)，在氣態(tài)或基體表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，利用射頻（RF)電源產(chǎn)生輝光放電（射頻電源放電方式可以設(shè)置為連續(xù)放電方式或脈沖放電方式）或者微波（MW)放電來離解反應(yīng)氣體，形成等離子體，等離子體與基膜表面發(fā)生相互作用并沉積成膜。谷吉海等曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術(shù)的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用及陶瓷膜蒸鍍技術(shù)的發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。
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